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溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌
全部作者： 張道禮 鄧志兵 張建兵 陳良艷 趙嵐 第1作者單位： 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 論文摘要： 以金屬無(wú)機(jī)鹽SnCl2?2H2O和SbCl3為原料，用sol-gel法在普通的載玻片基底上制備了摻Sb的SnO2透明導(dǎo)電薄膜。薄膜在70oＣ干燥，400~550oＣ進(jìn)行熱處理。使用U-3310紫外可見(jiàn)光分光光度計(jì)對(duì)其光學(xué)透光率進(jìn)行測(cè)試分析，薄膜具有80~90%的可見(jiàn)光透光率。使用從XRD衍射圖來(lái)看銻摻雜SnO2薄膜具有和純的SnO2薄膜1樣的金紅石結(jié)構(gòu)，并用顯微鏡觀察了薄膜。分析了銻摻雜的濃度、燒結(jié)溫度以及拉膜的次數(shù)對(duì)薄膜性質(zhì)的影響。 關(guān)鍵詞： 銻摻雜2氧化錫薄膜 溶膠-凝膠法 透明導(dǎo)電薄膜 電學(xué)和光學(xué)性能 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年08月31日 同行評(píng)議：
1、摻雜2氧化錫薄膜已有很多研究報(bào)導(dǎo)，本文參考文獻(xiàn)引用需給出重要的原始文獻(xiàn)，合成方法方面也應(yīng)給出原始的英文文獻(xiàn)（Thin Solid Films 1996）。 2、文章中文字錯(cuò)誤較多，如“Sb”在引言中作者寫為“Sib”，1些下標(biāo)也不對(duì)；圖6（b）的標(biāo)尺未給出；英文摘要不夠規(guī)范，建議重寫。而圖8則寫為圖6。 3、文中對(duì)晶粒變化對(duì)電阻率的解釋前后矛盾，第3頁(yè)中認(rèn)為“晶粒趨于完整、致密，晶界相減少，從而減小了自由載流子遷移散射率，電子遷移率增大，導(dǎo)電性提高”，而在第4頁(yè)中認(rèn)為“晶粒隨熱處理溫度的提高而長(zhǎng)大，使得載流子遷移時(shí)受到晶界散射作用而導(dǎo)致遷移率降低的效應(yīng)減少......”。 4、文章創(chuàng)新性不夠，與他人已報(bào)導(dǎo)的研究成果相比并無(wú)先進(jìn)的地方。
綜合評(píng)價(jià)： 修改稿： 注：同行評(píng)議是由特聘的同行專家給出的評(píng)審意見(jiàn)，綜合評(píng)價(jià)是綜合專家對(duì)論文各要素的評(píng)議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。【溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌】相關(guān)文章：
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