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化學浴沉積ZnSe薄膜及其光學特性研究
全部作者： 陳良艷 張道禮 黃川 張建兵 第1作者單位： 華中科技大學電子科學與技術系 論文摘要： ZnSe作為重要的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導體，在藍綠光發射器件、非線性光電器件、紅外器件以及薄膜太陽能電池等方面有著廣泛的應用�；瘜W浴沉積法是1種低能耗、污染小的合成路線。本文使用3乙醇胺和水合阱等做絡合劑，選用合適的陽離子（醋酸鋅或硫酸鋅）和陰離子源(硒脲或硒帶硫酸鈉)濃度配比，沉積出均勻的ZnSe薄膜，薄膜呈淡黃色。用SGC-2型橢偏儀測得薄膜厚度約為100-140nm；通過X-射線衍射測得400℃下N2氣氛中退火的薄膜呈閃鋅礦結構，可見光范圍內的透光率可達70％以上，禁帶寬度為3.0eV左右，同塊體材料相比(2.7eV)，表現出1定的藍移。 關鍵詞： 化學浴 硒化鋅薄膜 光學特性 (瀏覽全文) 發表日期： 2006年08月25日 同行評議：
該文報道了化學浴法制備ZnSe薄膜的有關結果。盡管文章的結構合理，書寫規范，給出的實驗結果可信，但是從本質上說該工作缺乏新意。論文中提及薄膜禁帶寬度比體材料有所增加，但沒有給出合理的解釋。此外，薄膜的表面形貌和微觀結構的表征在文中沒有給出�？傊�，該文在實驗路線上缺乏新意，在對實驗結果的解釋上缺乏深度。
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