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濺射功率和退火時間對Ca2Si薄膜結(jié)構(gòu)特性的影響
全部作者： 任雪勇 謝泉 楊吟野 肖清泉 楊創(chuàng)華 曾武賢 梁艷 第1作者單位： 貴州大學(xué)（花溪北校區(qū)） 電子科學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院 論文摘要： 采用射頻磁控濺射技術(shù)在Si（100）襯底上制備出Ca2Si薄膜，研究了濺射功率和退火時間對薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌的影響。X-射線衍射（XRD）譜和掃描電子顯微鏡（SEM）圖像表明：Ca2Si薄膜為立方結(jié)構(gòu)，且具有非常好的沿(111)向擇優(yōu)生長的特性。隨著濺射功率的增加，X-射線衍射峰的強(qiáng)度逐漸變強(qiáng)，半高寬（FWHM）減小，平均晶粒尺寸增加；隨著退火時間的增加，雖然衍射峰半高寬（FWHM）減小，平均晶粒尺寸增加，但是X-射線衍射峰的強(qiáng)度逐漸變?nèi)酢? 關(guān)鍵詞： 無機(jī)非金屬材料，Ca2Si薄膜，射頻磁控濺射，濺射功率，退火時間 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年08月20日 同行評議：
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