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      通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

      時間:2024-07-04 17:18:56 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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      通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

      摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6X DSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下,通過JTAG口實現(xiàn)對DSP外部Flash可擦寫存儲器的在線編程;將用戶數(shù)據(jù)文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711 DSP板上多次測試通過。

      引言

      在采用TI數(shù)字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲器中,讓系統(tǒng)脫機運行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學者遇到并需要解決的問題。

      從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對Flash的編程。

      1 Flash存儲器的擦除

      Flash編程之前,應對Flash進行擦除,使其每個數(shù)據(jù)位都恢復為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對Flash的擦除操作需要6個總線周期,總線時序如圖1。

      從圖1可知,各總線周期的操作為:

      第一總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H;

      第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H;

      第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)80H;

      第四總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

      第五總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H;

      第六總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)10H。

      完成上述操作后,F(xiàn)lash存儲器被完全擦除,內部數(shù)據(jù)恢復為初始狀態(tài),全為FFH。

      在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

      void erase_flash()

      {

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

      *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;

      }

      在TMS320C6711系統(tǒng)中,F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:

      #define FLASH_ADR1 0x90005555

      #define FLASH_ADR2 0x90002AAA

      需要說明的是,在對Flash進行擦除時,應對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。

      初始化函數(shù)如下:

      void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

      CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

      IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/

      ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

      *(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;

      *(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

      *(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

      *(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

      *(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

      *(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

      }

      2 Flash存儲器的編程

      對Flash存儲器進行字節(jié)編程之前,需要對它進行3個周期的編程指令操作,總線時序如圖2。

      從圖2可知,各總線周期的操作如下:

      第一總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

      第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H;

      第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)A0H;

      第四總線周期——向地址的存儲單元寫入編程數(shù)據(jù);

      ……

      在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

      /*---------------------------------------------------------------------*/

      /*入口參數(shù):pattern[]:數(shù)組,用于存儲編程數(shù)據(jù)*/

      */ start_address:所要編程的起始地址指針*/

      /* page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/

      /*出口參數(shù):無*/

      /*---------------------------------------------------------------------*/

      void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_siz

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